对比图
型号 STB15N65M5 STD15N65M5 SIHB15N60E-GE3
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsE-系列 N沟道 600 V 180 W 0.28 Ω 78 nC 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 340 mΩ 340 mΩ 0.23 Ω
耗散功率 85 W 85 W 180 W
输入电容 816 pF - -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 600 V
漏源击穿电压 650 V 650 V -
输入电容(Ciss) 810pF @100V(Vds) 816pF @100V(Vds) 1350pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 85 W 85 W 180 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 85W (Tc) 85W (Tc) 180 W
极性 - N-CH N-Channel
阈值电压 - 4 V 2 V
连续漏极电流(Ids) - 11A 15A
上升时间 - 8 ns 77 ns
下降时间 - 11 ns 66 ns
针脚数 - - 3
长度 10.4 mm 6.6 mm 10.67 mm
宽度 9.35 mm 6.2 mm 9.65 mm
高度 4.6 mm 2.4 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -