FDP6030L和FDP8880

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP6030L FDP8880

描述 N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8880  晶体管, MOSFET, N沟道, 54 A, 30 V, 11.6 mohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 13 mΩ 0.0116 Ω

耗散功率 52 W 55 W

阈值电压 - 2.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 12 ns 107 ns

输入电容(Ciss) 1250pF @15V(Vds) 1240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 52 W 55 W

下降时间 12 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 52W (Tc) 55W (Tc)

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 48.0 A 54.0 A

通道数 1 1

极性 N-Channel N-Channel

输入电容 - 1.24 nF

栅电荷 - 22.0 nC

漏源击穿电压 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 48.0 A 54.0 A

栅源击穿电压 ±20.0 V -

长度 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm

高度 16.3 mm 9.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99

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