SPB08P06PG和SPP08P06PH

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPB08P06PG SPP08P06PH SFI2955TU

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor60V,-8.8A,P沟道功率MOSFETMOSFET Power P-CH/60V/9.4A/0.3Ω

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 TO-263 TO-220 TO-262

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -8.80 A - -

极性 P-Channel P-CH P-Channel

输入电容 420 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 60.0 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 8.80 A 8.8A 9.4A

上升时间 - 46 ns -

下降时间 - 14 ns -

漏源极电阻 - - 300 mΩ

耗散功率 - - 3.80 W

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-263 TO-220 TO-262

产品生命周期 End of Life Active Unknown

包装方式 - - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -

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