对比图
描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORON SEMICONDUCTOR TIP120G. 双极晶体管ON SEMICONDUCTOR TIP111G 达林顿双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-66 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 60.0 V 80.0 V
额定电流 - 5.00 A 2.00 A
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2 W 65 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 200 V 60 V 80 V
集电极最大允许电流 2A 5A 2A
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 1000 @1A, 4V
额定功率(Max) - 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) - 1000 1000
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 65 W 50 W
额定功率 - 2 W -
输出电压 - 60 V -
输出电流 - 5 A -
热阻 - 62.5℃/W (RθJA) -
输入电压 - 2.5 V -
长度 - 15.75 mm 10.28 mm
宽度 - 4.83 mm 4.82 mm
高度 - 4.82 mm 15.75 mm
封装 TO-66 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99