对比图
描述 11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD3055LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.107 ohm, 5 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 107 mΩ 0.107 Ω
耗散功率 38 W 38 W
阈值电压 - 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
上升时间 105 ns 105 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 38 W 38 W
下降时间 39 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 38W (Tc) 38W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 11.0 A 11.0 A
通道数 - 1
极性 N-Channel N-Channel
输入电容 350 pF 350 pF
栅电荷 9.40 nC 9.40 nC
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A, 11.0 mA
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
材质 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99