对比图
型号 MTD6N15 MTD6N15T4G
描述 功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface MountON SEMICONDUCTOR MTD6N15T4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAK
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 CASE 369C-01 TO-252-3
额定电压(DC) - 150 V
额定电流 - 6.00 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.3 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 50 W
阈值电压 - 4.5 V
漏源极电压(Vds) - 150 V
漏源击穿电压 - 150 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 6.00 A
上升时间 - 180 ns
输入电容(Ciss) - 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1.25 W
下降时间 - 100 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 1.25W (Ta), 20W (Tc)
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.38 mm
封装 CASE 369C-01 TO-252-3
材质 - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99