MPSW01AG和MPSW01ARLRPG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW01AG MPSW01ARLRPG MPSW01ARLRP

描述 ON SEMICONDUCTOR  MPSW01AG  双极晶体管一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 50V NPN

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

针脚数 3 - -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 1 W 10 mW

集电极击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

直流电流增益(hFE) 50 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

频率 - 50 MHz -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 - - 5.21 mm

宽度 - - 4.19 mm

高度 - - 7.87 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Box Tape Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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