对比图
型号 MGSF1N03LT1G MGSF1N03LT3 MVGSF1N03LT1G
描述 ON SEMICONDUCTOR MGSF1N03LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 30 V, 100 mohm, 10 V, 1.7 V功率MOSFET的30 V ， 2.1 A单N沟道， SOT -23 Power MOSFET 30 V, 2.1 A, Single N−Channel, SOT−23N 通道功率 MOSFET，30V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 750 mA 1.60 A -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.1 Ω 125 mΩ 0.08 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 730 mW 420mW (Ta) 690 mW
阈值电压 1.7 V - 1.7 V
输入电容 140pF @5V 140 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.10 A, 1.60 mA 2.10 A 2.8A
上升时间 1 ns - 1 ns
输入电容(Ciss) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds) 140pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 420 mW - -
下降时间 8 ns - 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 420mW (Ta) 420mW (Ta) 690 mW
栅电荷 - 6.00 µC -
长度 3.04 mm - 3.04 mm
宽度 1.4 mm - 1.4 mm
高度 1.01 mm - 1.01 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 - -