FDMC7664和IRFHM830TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMC7664 IRFHM830TRPBF BSZ035N03LS G

描述 N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V , 18.8 A, 4.2米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 mINFINEON  IRFHM830TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 3 mohm, 10 V, 1.8 VTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin TSDSON

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 MLP-8 QFN-8 TSDSON-8

漏源极电阻 0.0036 Ω 0.003 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.3 W 2.7 W 69.0 W

阈值电压 1.9 V 1.8 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18.8A 21A -

上升时间 7 ns 25 ns 5.4 ns

输入电容(Ciss) 4865pF @15V(Vds) 2155pF @25V(Vds) 3300pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W 2.7 W -

下降时间 6 ns 9.2 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 45W (Tc) 2700 mW 2100 mW

额定功率 - 2.7 W -

针脚数 - 8 -

长度 3.3 mm 3.3 mm 3.3 mm

宽度 3.3 mm 3.3 mm -

高度 0.75 mm 1.05 mm 1.10 mm

封装 MLP-8 QFN-8 TSDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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