1N6463和JAN1N6463

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6463 JAN1N6463 1N6463US

描述 高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.ESD 抑制器/TVS 二极管 Uni-Directional TVS无空隙,密封的表面贴装单向瞬态 Voidless-Hermetically-Sealed Surface Mount Unidirectional Transient

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 Case E B E-MELF

钳位电压 22.6 V 22.6 V 22.6 V

测试电流 5 mA 5 mA 5 mA

脉冲峰值功率 500 W 500 W 500 W

最小反向击穿电压 13.6 V 13.6 V 13.6 V

击穿电压 13.6 V - 13.6 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

电路数 1 - -

最大反向电压(Vrrm) 12V 12V -

封装 Case E B E-MELF

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

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