FQB6N25TM和IRF624S

对比图

型号 FQB6N25TM IRF624S FQB4N25TM

描述 N沟道 250V 5.5AMOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKTrans MOSFET N-CH 250V 3.6A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 250 V 250 V 250 V

额定电流 5.50 A 4.40 A 3.60 A

漏源极电阻 1.00 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 3.13W (Ta), 63W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V 250 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 4.40 A 3.60 A

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.13 W - -

耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc)

上升时间 - 13.0 ns -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tape Tube Tape

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -