APT10045JLL和IXFN24N100的区别_APT10045JLL代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10045JLL IXFN24N100 APT10050LVFR

描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 21A 4Pin SOT-227IXYS SEMICONDUCTOR IXFN24N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 1 kV, 390 mohm, 10 V, 5.5 VTO-264 N-CH 1000V 21A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Screw Through Hole

引脚数 4 3 -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 TO-264

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV -

额定电流 21.0 A 24.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 450 mΩ 0.39 Ω -

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 460 W 600 W -

阈值电压 3 V 5.5 V -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1 kV 1000 V

漏源击穿电压 1 kV 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 24.0 A 21A

上升时间 5 ns 35 ns -

隔离电压 - 2.50 kV -

输入电容(Ciss) 4350pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 460 W 568 W -

下降时间 8 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 460W (Tc) 568000 mW -

输入电容 4.35 nF - -

栅电荷 154 nC - -

长度 38.2 mm 38.23 mm -

宽度 25.4 mm 25.42 mm -

高度 9.6 mm 9.6 mm -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 TO-264

材质 - Silicon -

重量 - 40.0 g -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -