FDC640P和SI3469DV-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC640P SI3469DV-T1-E3 FDC640P_F095

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC640P  晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -20 V, 0.039 ohm, -4.5 V, -1 VTrans MOSFET P-CH 20V 5A 6Pin TSOP T/RMOSFET P-CH 20V 4.5A 6-SSOT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -4.50 A - -

针脚数 6 - -

漏源极电阻 0.039 Ω 0.051 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 1.6 W 1.14 W 1.6W (Ta)

阈值电压 1 V - -

输入电容 890 pF - -

栅电荷 9.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V -20.0 V 20 V

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.50 mA -6.70 A 4.5A

上升时间 9 ns - -

输入电容(Ciss) 890pF @10V(Vds) - 890pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW - -

下降时间 13 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 1.14W (Ta) 1.6W (Ta)

长度 3 mm 3.1 mm -

宽度 1.7 mm - -

高度 1 mm 1 mm -

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台