FDG329N和SI1426DH-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG329N SI1426DH-T1-E3 FDG327NZ

描述 20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG327NZ, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 420 mW 1W (Ta) 0.42 W

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 3.60 A -

耗散功率(Max) 420mW (Ta) 1W (Ta) 420 mW

针脚数 - - 6

漏源极电阻 70 mΩ - 0.068 Ω

阈值电压 - - 700 mV

上升时间 7 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 324pF @10V(Vds) - 412pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 380 mW - 380 mW

下降时间 7 ns - 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 1.50 A - -

通道数 1 - -

输入电容 324 pF - -

栅电荷 3.30 nC - -

漏源击穿电压 20 V - -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 1.1 mm - 1 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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