对比图
描述 射频与微波晶体管VHF移动应用程序 RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONSRF功率双极晶体管VHF移动应用程序 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONSRF Power Bipolar Transistor, 1Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.38INCH, STUD PACKAGE-4
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Advanced Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 M113 M-111 -
引脚数 - 6 -
额定电压(DC) 36.0 V 18.0 V -
额定电流 8.00 A 20.0 A -
耗散功率 70 W 270 W -
击穿电压(集电极-发射极) 16 V 18 V -
增益 9 dB 6 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V 10 @5A, 5V -
最大电流放大倍数(hFE) 20 @250mA, 5V 10 @5A, 5V -
额定功率(Max) 70 W 270 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 270000 mW -
长度 24.89 mm 24.89 mm -
宽度 6.48 mm 21.97 mm -
高度 7.11 mm 7.11 mm -
封装 M113 M-111 -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -