SD2931和SD2931-10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SD2931 SD2931-10 SD2931-11W

描述 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Screw Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 M-174 M-174 M244

频率 175 MHz 175 MHz 175 MHz

额定电压(DC) - 125 V -

额定电流 - 20 A 20 A

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 292000 mW 389000 mW -

输入电容 - 480 pF -

漏源极电压(Vds) - 125 V -

漏源击穿电压 125 V 125 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -

输出功率 150 W 150 W 150 W

增益 15 dB 15 dB 15 dB

测试电流 250 mA 250 mA 250 mA

输入电容(Ciss) 480pF @50V(Vds) 480pF @50V(Vds) -

输出功率(Max) - 150 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 292000 mW 389000 mW -

额定电压 125 V 125 V 125 V

封装 M-174 M-174 M244

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Bulk Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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