对比图
型号 SUD50N06-07L-GE3 SUD50N06-09L-E3
描述 VISHAY SUD50N06-07L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 96 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 1 VVISHAY SUD50N06-09L-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252 TO-252
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0061 Ω 0.0074 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 136 W 136 W
阈值电压 1 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
连续漏极电流(Ids) - 50.0 A
上升时间 - 15 ns
下降时间 - 20 ns
封装 TO-252 TO-252
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15
含铅标准 - Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 175℃
包装方式 - Cut Tape (CT)