MJD200和MJD200T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD200 MJD200T4G MJD200RLG

描述 互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power TransistorsON SEMICONDUCTOR  MJD200T4G  单晶体管 双极, NPN, 25 V, 65 MHz, 12.5 W, 5 A, 70 hFE互补的塑料功率晶体管 Complementary Plastic Power Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 65 MHz 65 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A

额定功率 - 1.4 W -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 12.5 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V 45 @2A, 1V

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W 1.4 W

直流电流增益(hFE) - 70 70

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1400 mW 1400 mW

最大电流放大倍数(hFE) 180 - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台