FGD3N60LSDTM和IRGR3B60KD2TRRP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FGD3N60LSDTM IRGR3B60KD2TRRP IRGR3B60KD2PBF

描述 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 7.8A 52000mW 3Pin(2+Tab) DPAK Tube

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 6.00 A - -

耗散功率 40000 mW - 52.0 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V - 600 V

反向恢复时间 234 ns - 77 ns

额定功率(Max) 40 W - 52 W

耗散功率(Max) 40 W - -

产品系列 - - IRGR3B60KD2

封装 TO-252-3 DPAK TO-252-3

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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