FQB30N06L和FQB30N06TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQB30N06L FQB30N06TM FQB30N06

描述 LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 32A 30.0 A 30A

额定电压(DC) - 60.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 40 mΩ -

耗散功率 - 3.75 W -

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±25.0 V -

上升时间 - 85 ns -

输入电容(Ciss) - 945pF @25V(Vds) -

下降时间 - 40 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 79W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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