对比图
型号 SPI07N65C3 SPI07N65C3HKSA1 SPI07N65C3XKSA1
描述 新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche ratedTO-262 N-CH 650V 7.3ATO-262 N-CH 650V 7.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 I2PAK-3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 83W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 7.3A 7.3A
上升时间 3.5 ns 3.5 ns -
输入电容(Ciss) 790pF @25V(Vds) 790pF @25V(Vds) -
下降时间 7 ns 7 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 83W (Tc) -
额定电压(DC) 650 V - -
额定电流 7.30 A - -
输入电容 790 pF - -
栅电荷 27.0 nC - -
额定功率(Max) 83 W - -
阈值电压 - - 3 V
封装 TO-262-3 TO-262-3-1 I2PAK-3
长度 10.2 mm - -
宽度 4.5 mm - -
高度 9.45 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free