SPI07N65C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPI07N65C3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 7.30 A

极性 N-CH

输入电容 790 pF

栅电荷 27.0 nC

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.30 A

上升时间 3.5 ns

输入电容Ciss 790pF @25VVds

额定功率Max 83 W

下降时间 7 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SPI07N65C3

型号： SPI07N65C3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：新的革命高电压技术，超低栅极电荷定期额定雪崩 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated

替代型号SPI07N65C3