对比图
型号 IXFH12N100F STW11NK100Z IRFPG30PBF
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW11NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 1 kV, 1.38 ohm, 10 V, 3.75 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1.05 Ω 1.38 Ω 5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 230 W 125 W
阈值电压 3 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 1 kV 1000 V 1000 V
上升时间 9.8 ns 18 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 980pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns 55 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 230W (Tc) 125 W
额定电压(DC) - 1.00 kV -
额定电流 - 8.30 A -
额定功率 - 230 W -
漏源击穿电压 - 1.00 kV -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 8.30 A 3.10 A
额定功率(Max) - 230 W 125 W
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.75 mm 15.87 mm
宽度 - 5.15 mm 5.31 mm
高度 - 20.15 mm 20.7 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
最小包装 - - 500
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -