对比图
型号 2SC5108 BF240 MMBTH10-4LT1G
描述 Silicon NPN Epitaxial Planar Type TransistorNPN晶体管RF NPN RF TransistorNPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 - Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-226-3 SOT-23-3
额定电压(DC) - 40.0 V 25.0 V
额定电流 - 50.0 mA 4.00 mA
极性 - N-Channel, NPN NPN
耗散功率 - 350 mW 225 mW
增益频宽积 - 1100 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) - 65 @1mA, 10V 120 @4mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 225 -
额定功率(Max) - 350 mW 225 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 350 mW 225 mW
频率 - - 650 MHz
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - - 3
直流电流增益(hFE) - - 120
长度 - 5.2 mm -
宽度 - 4.19 mm -
高度 - 5.33 mm -
封装 - TO-226-3 SOT-23-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99