对比图
型号 IXFA10N80P IXFT9N80Q APT11F80B
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 VTO-268 N-CH 800V 9AN沟道FREDFET N-Channel FREDFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
封装 TO-263-3 TO-268-3 TO-247-3
引脚数 3 - 3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 1.1 Ω 1.1 Ω -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 300 W 180 W 337W (Tc)
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V -
连续漏极电流(Ids) - 9A 11.0 A
上升时间 22 ns 20 ns -
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2471pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 13 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 300W (Tc) 180W (Tc) 337W (Tc)
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 11.0 A
输入电容 - - 1.59 nF
栅电荷 - - 60.0 nC
额定功率(Max) - - 337 W
针脚数 3 - -
阈值电压 5.5 V - -
长度 - 16.05 mm -
宽度 - 14 mm -
高度 - 5.1 mm -
封装 TO-263-3 TO-268-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -