IPD70N10S3L-12和STI70N10F4

对比图

型号 IPD70N10S3L-12 STI70N10F4 LTP60N10

描述 INFINEON  IPD70N10S3L-12  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 100 V, 0.0096 ohm, 10 V, 1.7 VI2PAK N-CH 100V 65APower Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) LiteOn (光宝)

分类 MOS管

封装 TO-252-3 I2PAK -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 3 - -

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 70A 65A -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0096 Ω - -

耗散功率 125 W - -

阈值电压 1.7 V - -

上升时间 6 ns - -

输入电容(Ciss) 5550pF @25V(Vds) - -

下降时间 7 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 125W (Tc) - -

封装 TO-252-3 I2PAK -

长度 6.5 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.3 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -