LM258AN和LM358N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258AN LM358N LM258N

描述 低功耗双运算放大器 Low power dual operational amplifiersSTMICROELECTRONICS  LM358N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚STMICROELECTRONICS  LM258N  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 32.0 V 5.00 V -

工作电压 3V ~ 30V 3V ~ 32V -

供电电流 700 µA 700 µA 700 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 500 mW -

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

输入补偿电压 1 mV 2 mV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) - 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

电源电压 - 3V ~ 30V 3V ~ 30V

电源电压(Max) 30 V 30 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

共模抑制比(Min) - - 70 dB

长度 - 9.27 mm -

宽度 - 6.35 mm -

高度 - 3.3 mm -

封装 DIP-8 DIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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