FDS3692和IRF7452TRPBF

对比图

型号 FDS3692 IRF7452TRPBF SI4100DY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3692  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 100 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF7452TRPBF  场效应管, MOSFETN 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 4.5 A 4.50 A -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 0.05 Ω 0.06 Ω 0.051 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 6 W

阈值电压 4 V 5.5 V 2 V

输入电容 746 pF 930 pF -

栅电荷 11.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.50 A -

上升时间 26 ns 11 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 746pF @25V(Vds) 930pF @25V(Vds) 600pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -

下降时间 26 ns 13 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 6 W

额定功率 - 2.5 W -

产品系列 - IRF7452 -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.55 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -