对比图
型号 SPB80N03S2-03 STB80NF03L-04T4 FDB8832
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK / I2PAK / TO- 220 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0035ohm - 80A D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET⑩ II POWER MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8832 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 30 V, 1.5 mohm, 20 V, 1.6 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 2
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 4.00 mΩ 1.5 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
输入电容 7.02 nF 5500 pF 11.4 nF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A
上升时间 - 270 ns 73 ns
输入电容(Ciss) 7020pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 11400pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W
下降时间 - 95 ns 38 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
栅电荷 150 nC - 265 nC
针脚数 - - 2
阈值电压 - - 1.6 V
宽度 - 9.35 mm 11.33 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.67 mm
高度 - - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -60℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99