BC857BW-7和BC857BW-7-F

对比图

型号 BC857BW-7 BC857BW-7-F BC857BWT1

描述 Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLARDIODES INC.  BC857BW-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFEGeneral Purpose Transistors(PNP Silicon)

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

频率 - 200 MHz -

额定电压(DC) - -65.0 V -

额定电流 - -100 mA -

针脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 200 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 200 mW -

直流电流增益(hFE) - 290 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

增益频宽积 200 MHz - -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -