R1LP0108ESA-5SI#B1和R1LP0108ESA-5SI#B0

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LP0108ESA-5SI#B1 R1LP0108ESA-5SI#B0

描述 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 1MB ADV. 5V STSOP32 55NS -40TO85C低功率 SRAM,R1LP 系列,Renesas ElectronicsR1LP 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 4.5V 至 5.5V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 --

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 32 32

封装 SOP-32 TSOP-32

安装方式 - Surface Mount

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

时钟频率 - 1 MHz

位数 - 8

存取时间(Max) - 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 SOP-32 TSOP-32

长度 - 11.9 mm

宽度 - 8.1 mm

高度 - 1 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free

ECCN代码 - EAR99

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