对比图
型号 CSD17522Q5A NVMFS4841NWFT1G CSD17527Q5A
描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETSO-FL N-CH 30V 16A30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 5 8
封装 VSON-8 SO-FL-8 VSON-8
通道数 1 - 1
漏源极电阻 - - 15.5 mΩ
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 3 W 112 W 3 W
阈值电压 1.6 V - 1.6 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30 V
连续漏极电流(Ids) 16A 16A 13A
上升时间 12 ns 66.5 ns 8.2 ns
输入电容(Ciss) 695pF @15V(Vds) 1436pF @12V(Vds) 506pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 3 W
下降时间 3.7 ns 7.5 ns 3.2 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) 3.7W (Ta), 112W (Tc) 3W (Ta)
无卤素状态 - Halogen Free -
长度 - - 6 mm
宽度 4.9 mm - 4.9 mm
高度 - - 1 mm
封装 VSON-8 SO-FL-8 VSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - - EAR99