IRFP150NPBF和IRFP4410ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP150NPBF IRFP4410ZPBF IRFP150PBF

描述 INFINEON  IRFP150NPBF  晶体管, MOSFET, 通用, N沟道, 42 A, 100 V, 36 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFP4410ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 97 A, 100 V, 0.0072 ohm, 20 V, 4 VN 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

额定功率 140 W 230 W 180 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.036 Ω 0.0072 Ω 0.055 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 140 W 230 W 230 W

阈值电压 4 V 4 V 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 42A 97A 41.0 A

上升时间 56 ns 52 ns 120 ns

反向恢复时间 - 38 ns -

正向电压(Max) - 1.3 V -

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 4820pF @50V(Vds) 2800pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 57 ns 81 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -

耗散功率(Max) 160W (Tc) 230W (Tc) 230 W

输入电容 1900 pF - 2800pF @25V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

额定功率(Max) 160 W - -

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 41.0 A

长度 15.9 mm 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.3 mm 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.3 mm 20.7 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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