MJD117-001和MJD117-1G

对比图

型号 MJD117-001 MJD117-1G MJD117-001G

描述 互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power TransistorsMJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3DPAK-3 PNP 100V 2A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-251-3 TO-251-3 DPAK-3

额定电压(DC) -100 V -100 V -

额定电流 -2.00 A -2.00 A -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1750 mW 20 W 1750 mW

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V -

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

直流电流增益(hFE) - 12 -

高度 6.35 mm - 6.35 mm

封装 TO-251-3 TO-251-3 DPAK-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Rail Tube Rail

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -