JAN2N5238和JANTXV2N5238S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5238 JANTXV2N5238S 2N5238

描述 Trans GP BJT NPN 170V 10A 3Pin TO-5TO-39 NPN 170V 10ASmall Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 170V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solitron Devices

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-5 TO-205 -

引脚数 3 - -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 170 V 170 V -

集电极最大允许电流 - 10A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @5A, 5V 40 @5A, 5V -

额定功率(Max) 1 W 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-5 TO-205 -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 -

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