FDN358P和FDN358P_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDN358P FDN358P_NL ZXMP3A13FTA

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN358P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.6 A, -30 V, 200 mohm, -10 V, -1.9 VSingle P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFETZXMP3A13FTA 编带

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SuperSOT SOT-23-3

额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V

额定电流 -1.50 A - -1.60 A

通道数 1 - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 200 mΩ - 0.21 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 560 mW - 806 mW

输入电容 182 pF - -

栅电荷 4.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.5A 1.40 A

上升时间 13 ns - 3 ns

输入电容(Ciss) 182pF @15V(Vds) - 206pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 460 mW - 625 mW

下降时间 2 ns - 7.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) - 625mW (Ta)

长度 2.92 mm - 3.04 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SuperSOT SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

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