对比图
描述 达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICONON SEMICONDUCTOR BD681G. 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 40 W, 4 A, 750 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-225-3 TO-126-3
额定电压(DC) 100 V 100 V
额定电流 4.00 A 4.00 A
额定功率 - -
输出电压 - -
输出电流 - -
针脚数 - 3
输入电流 - -
耗散功率 40000 mW 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V
最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750
额定功率(Max) 40 W 40 W
直流电流增益(hFE) - 750
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW
输入电压 - -
极性 NPN NPN
集电极最大允许电流 4A 4A
无卤素状态 - Halogen Free
长度 - 7.74 mm
宽度 - 2.66 mm
高度 11.04 mm 11.04 mm
封装 TO-225-3 TO-126-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Box Bulk
最小包装 500 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99