对比图
型号 FDS6812A NTMD4N03R2G NTMD6N02R2G
描述 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFETN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorN 通道 MOSFET，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 20.0 V 30.0 V 20.0 V
额定电流 6.70 A 4.00 A 6.00 A
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 22.0 mΩ 0.048 Ω 0.035 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.00 W 2 W 2 W
阈值电压 - 1.9 V 900 mV
漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 30.0 V 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V ±20.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.70 A 4.00 A, 4.00 mA 6.50 A
上升时间 8.00 ns 14 ns 50.0 ns
输入电容(Ciss) 1082pF @10V(Vds) 400pF @20V(Vds) 1100pF @16V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W 730 mW
下降时间 - 10 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W 2 W
通道数 - - 2
输入电容 1.08 nF - -
栅电荷 12.0 nC - -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99