IRFU120PBF和IRFU120ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU120PBF IRFU120ZPBF IRFU120ATU

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.7 A, 100 V, 0.27 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH Si 100V 8.7A 3Pin(3+Tab) IPAKN沟道 100V 8.4A

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 8.70 A 8.40 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 35 W 2.5W (Ta), 32W (Tc)

产品系列 - IRFU120Z -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 7.70 A 8.70 A 8.40 A

上升时间 - 26.0 ns -

输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) 310pF @25V(Vds) 480pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 35 W 2.5 W

漏源极电阻 0.27 Ω - 200 mΩ

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 32W (Tc)

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

封装 TO-251-3 TO-251-3 TO-251-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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