对比图
型号 APT5010LVR IXFK48N50Q APT5010LVRG
描述 功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q 系列N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备功率MOS ，V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 47.0 A
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 - 500W (Tc) 520 W
输入电容 - - 8.90 nF
栅电荷 - - 470 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 47A - 47.0 A
上升时间 16 ns 22 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 7400pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds) 7400pF @25V(Vds)
下降时间 5 ns 10 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520000 mW 500W (Tc) 520000 mW
封装 TO-264 TO-264-3 TO-247-3
长度 - 19.96 mm -
宽度 - 5.13 mm -
高度 - 26.16 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -