MTB23P06V和NTB30N06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTB23P06V NTB30N06L NTB25P06T4G

描述 D2PAK P-CH 60V 23A30A,60V逻辑电平的功率MOSFETP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 - 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 P-CH N-Channel P-Channel

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 23A 27.0 A 27.5 A

上升时间 98.3 ns 200 ns 72 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1150pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)

下降时间 62 ns 62 ns 190 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 90000 mW 88.2W (Tc) 120 W

额定电压(DC) - 60.0 V -60.0 V

额定电流 - 30.0 A -25.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 46 mΩ 0.07 Ω

耗散功率 - 88.2 W 120 W

输入电容 - 1.20 nF -

栅电荷 - 46.0 nC -

漏源击穿电压 - 60 V -

栅源击穿电压 - ±15.0 V ±15.0 V

针脚数 - - 3

额定功率(Max) - - 120 W

封装 D2PAK-263 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.29 mm 10.29 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Rail Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

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