对比图
型号 2N7002K-7 PMBF170,235 2N7002K-E3
描述 2N7002K 系列 60 V 2 Ohm N 沟道 增强模式 Mosfet - SOT-23-3TO-236AB N-CH 60V 0.3ASOT-23 N-CH 60V 0.3A
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
极性 N-Channel N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 300 mA 0.3A 0.3A
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 40pF @10V(Vds) 30pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 370mW (Ta) 830mW (Tc) 350 mW
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 2 Ω - -
耗散功率 350 mW 0.83 W -
阈值电压 1.6 V - -
上升时间 3.4 ns - -
额定功率(Max) 370 mW 830 mW -
下降时间 9.9 ns - -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23
宽度 1.3 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -