对比图
型号 ISL9N307AS3ST STP80NF10 FDH44N50
描述 N沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH44N50, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 80.0 A -
额定功率 - 300 W -
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 11.5 mΩ 0.012 Ω 0.11 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 100 W 300 W 750 W
阈值电压 - 3 V 3.15 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 30 V 100 V 500 V
漏源击穿电压 30 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A -
上升时间 - 80 ns 84 ns
输入电容(Ciss) - 5500pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 300 W 750 W
下降时间 - 60 ns 79 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 750 W
长度 10.67 mm 10.4 mm 15.87 mm
宽度 9.65 mm 4.6 mm 4.82 mm
高度 4.83 mm 9.15 mm 20.82 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -