FQD5N20LTM和STD5N20LT4

对比图

型号 FQD5N20LTM STD5N20LT4

描述 Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.25Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3STMICROELECTRONICS  STD5N20LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 200 V 200 V

额定电流 3.80 A 5.00 A

漏源极电阻 1.20 Ω 0.65 Ω

极性 N-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.5 W 33 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.80 A 5.00 A

上升时间 90 ns 21.5 ns

输入电容(Ciss) 325pF @25V(Vds) 242pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 33 W

下降时间 50 ns 15.5 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 37W (Tc) 33W (Tc)

通道数 - 1

针脚数 - 3

阈值电压 - 2.5 V

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm

高度 - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -