AS6C2008A-55BIN和AS6C2008A-55TIN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS6C2008A-55BIN AS6C2008A-55TIN AS6C2008A-55SIN

描述 SRAM Chip Async Single 3V 2M-Bit 256K x 8 55ns 36Pin TF-BGAAS6C2008 系列 2 Mb (256 K x 8) 3 V 55 ns CMOS 静态 RAM - TSOP-32静态随机存取存储器 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-36 TSOP-32 SOP-32

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 32 -

电源电压 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

工作电压 - 2.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 5.5V

存取时间 - 55 ns 55 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

封装 TFBGA-36 TSOP-32 SOP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

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