对比图
型号 MMBTH10-7 MMBTH10LT1G MMBTH10-7-F
描述 NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFEMMBTH10 Series 25V 50mA 300mW NPN VHF/UHF Transistor - SOT-23-3
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V 25.0 V
额定电流 50.0 mA 4.00 mA 50.0 mA
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 300 mW 225 mW 0.3 W
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
集电极最大允许电流 0.05A - 0.05A
最小电流放大倍数(hFE) 60 60 @4mA, 10V 60 @4mA, 10V
额定功率(Max) 300 mW 225 mW 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
频率 - 650 MHz 650 MHz
额定功率 - - 0.3 W
耗散功率(Max) - 225 mW 300 mW
无卤素状态 - Halogen Free -
针脚数 - 3 -
直流电流增益(hFE) - 60 -
长度 3.05 mm 3.04 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 1 mm 1.01 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -