FDP42AN15A0和PSMN035-150P@127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP42AN15A0 PSMN035-150P@127 IRFZ14PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP42AN15A0  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 12 A, 150 V, 42 mohm, 10 V, 4 VPSMN035-150P@127功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220-3

额定电压(DC) 150 V - 60.0 V

额定电流 35.0 A - 10.0 A

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.042 Ω - 0.2 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 150 W - 43 W

阈值电压 4 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 150 V - 60 V

漏源击穿电压 150 V - 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 35.0 A - 10.0 A

上升时间 19 ns - 50 ns

输入电容(Ciss) 2150pF @25V(Vds) - 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W - 43 W

下降时间 23 ns - 19 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 150W (Tc) - 43 W

输入电容 2.15 nF - -

栅电荷 30.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

长度 10.67 mm - 10.41 mm

宽度 4.83 mm - 4.7 mm

高度 9.4 mm - 9.01 mm

封装 TO-220-3 - TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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