对比图
型号 FDP20N50 STP20NM50 STP23NM50N
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP20NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 550 V, 250 mohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 230 mΩ 0.25 Ω 0.162 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 250 W 192 W 125 W
阈值电压 5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 375 ns 16 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 3120pF @25V(Vds) 1480pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 250 W 192 W 125 W
下降时间 105 ns 8.5 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250W (Tc) 192W (Tc) 125W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 3 3 -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -
额定电压(DC) - 500 V -
额定电流 - 20.0 A -
长度 10.1 mm - 10.4 mm
宽度 4.7 mm - 4.6 mm
高度 9.4 mm - 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 - EAR99