BC857BW-7和BC857BW,115

对比图

型号 BC857BW-7 BC857BW,115 BC857BWT1

描述 Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLARNXP  BC857BW,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 220 hFEGeneral Purpose Transistors(PNP Silicon)

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Leshan Radio (乐山无线电)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

引脚数 - 3 -

极性 PNP PNP -

增益频宽积 200 MHz 100 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

频率 - 100 MHz -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 200 mW -

额定功率(Max) - 200 mW -

直流电流增益(hFE) - 220 -

封装 SOT-323 SOT-323-3 -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -