MMBT2222ALT1和MMBT2222ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2222ALT1 MMBT2222ALT1G MMBT2222ATT1G

描述 通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 225 mW, 600 mA, 300 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ATT1G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 600 mA, 35 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-416

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 75.0 V

额定电流 600 mA 600 mA 600 mA

额定功率 - 225 mW 150 mW

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 0.3 W 225 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) - 300 35

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 150 mW

增益频宽积 - 300 MHz -

长度 - 2.9 mm 1.65 mm

宽度 - 1.3 mm 0.9 mm

高度 - 0.94 mm 0.8 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-416

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR NLR -

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